Saput tipis Kuprum Indium Disulfida (CuInS2) telah disediakan melalui penyejatan Vakum menggunakan tiga sumber iaitu kuprum, indium dan sulfur. Sampel yang didapati berupa tiga lapisan terapit kuprum, indium dan sulfur. Kemudiansampel disepub lindapkan dengan memasukkan ke dalam blok karbon tertudung-tebat dalam persekitaran gas argon. Penyepuh lindapan dilakukan dengan mengubahkan suhu dalam julat 200C hingga 500C dan masa antara 2 jam hingga 3 jam. Sampel yang telah disepuh lindapkan dianalisis dengan kaedah pembelauan sinar -X. Didapati sebatian saput tipis CuInS2 mula terbentuk apabila penyepuh lindapan dilakukan pada suhu 260C selama 2 jam. Manakala kondisi terbaik untuk pembentukannya didapati terjadi pada suhu menyepuh lindap 350C selama 4 jam.